Обзор продукта
- номер части
- SM198C
- Производитель
- Telemecanique
- Категория продукта
- Датчики приближения
- Описание
- Proximity Sensors MICROSONIC THRU BEAM RECEIVER
Документы и СМИ
- Спецификации
- SM198C
Описание
Proximity Sensors MICROSONIC THRU BEAM RECEIVER
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
TK5A50D(STA4,Q,M) | Toshiba | 97 | MOSFET MOSFET N-CH 500V, 5A |
BSP149 H6906 | Infineon Technologies | 11 | MOSFET N-Ch 200V 140mA SOT-223-3 |
SQJ260EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | 1,026 | MOSFET Dual 60V Vds Asymtrc AEC-Q101 Qualified |
IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 950 | MOSFET CONSUMER |
SIHD2N80E-GE3 | Vishay Semiconductors | 1,704 | MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
FDPF4N60NZ | onsemi / Fairchild | 62 | MOSFET Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver |
PSMN3R4-30PL,127 | Nexperia | 89 | MOSFET N-CHAN 30V 100A |
STF10N60DM2 | STMicroelectronics | 674 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
SI4943CDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | 146 | MOSFET -20V Vds 20V Vgs SO-8 |
NTMFS5C442NT1G | onsemi | 182 | MOSFET T6D3F 40V NFET |
STL13N60DM2 | STMicroelectronics | 593 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
SIRA02DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | 571 | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
IPP12CN10L G | Infineon Technologies | 682 | MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2 |
STL7LN80K5 | STMicroelectronics | 1,111 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
IRFBC30APBF | Vishay Semiconductors | 1,091 | MOSFET 600V N-CH HEXFET |