Обзор продукта
- номер части
- GCG1555G1H2R0BA01D
- Производитель
- Murata Electronics
- Категория продукта
- Многослойные керамические конденсаторы MLCC - SMD/SMT
- Описание
- Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT
Документы и СМИ
- Спецификации
- GCG1555G1H2R0BA01D
Атрибуты продукта
- Packaging :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Qualification :
- AEC-Q200
- Series :
- GCG
- Termination Style :
- SMD/SMT
Описание
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
R8002ANX | ROHM Semiconductor | 515 | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
FQPF10N60C | onsemi / Fairchild | 674 | MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
FQPF12N60C | onsemi / Fairchild | 687 | MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series |
R6008ANX | ROHM Semiconductor | 492 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A |
IPB65R310CFDATMA1 | Infineon Technologies | 975 | MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2 CoolMOS CFD2 |
IPA60R385CP | Infineon Technologies | 446 | MOSFET N-Ch 600V 9A TO220FP-3 CoolMOS CP |
RCJ330N25TL | ROHM Semiconductor | 829 | MOSFET N-Channel Mosfet 250V, 33A, 10V gate drive |
IPP60R280E6 | Infineon Technologies | 354 | MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220-3 CoolMOS E6 |
IPA60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | 3,000 | MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6 |
IPI60R280C6 | Infineon Technologies | 496 | MOSFET N-Ch 650V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6 |
IPA60R280C6 | Infineon Technologies | 499 | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6 |
IPI072N10N3 G | Infineon Technologies | 392 | MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3 |
AUIRF1010ZSTRL | Infineon Technologies | 613 | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms |
IPP50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | 374 | MOSFET N-Ch 550V 13A TO220-3 |
IPP60R299CP | Infineon Technologies | 475 | MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP |