sales@szcinty.com
Обзор продукта
- номер части
- CL21B102KCANNNC
- Производитель
- Samsung Electro-Mechanics
- Категория продукта
- Многослойные керамические конденсаторы MLCC - SMD/SMT
- Описание
- Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1nF+/-10% 100V X7R 2012
Документы и СМИ
- Спецификации
- CL21B102KCANNNC
Атрибуты продукта
- Capacitance :
- 1000 pF
- Case Code - in :
- 0805
- Case Code - mm :
- 2012
- Dielectric :
- X7R
- Height :
- 1.35 mm
- Maximum Operating Temperature :
- + 125 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Packaging :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Product :
- General Type MLCCs
- Series :
- CL
- Termination :
- Standard
- Termination Style :
- SMD/SMT
- Tolerance :
- 10 %
- Voltage Rating DC :
- 100 VDC
Описание
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1nF+/-10% 100V X7R 2012
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
| Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
|---|---|---|---|
| C3M0160120J | Wolfspeed / Cree | 3,606 | MOSFET Gen 3 1200V 160 mO SiC MOSFET |
| STP20NK50Z | STMicroelectronics | 5,775 | MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH |
| C2M1000170J-TR | Wolfspeed / Cree | 3,000 | MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm |
| NVMTS1D2N08H | onsemi | 5,993 | MOSFET 80V 337A 1.1mOhms |
| CSD19536KTT | Texas Instruments | 11,493 | MOSFET 100-V, N channel NexFET power MOSFET, single D2PAK, 2.4 mOhm 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175 |
| SUP90P06-09L-E3 | Vishay Semiconductors | 9,000 | MOSFET 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V |
| SUM85N15-19-E3 | Vishay Semiconductors | 8,665 | MOSFET 150V 85A 375W 19mohm @ 10V |
| IRFP2907PBF | Infineon Technologies | 11,957 | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 410nC |
| AUIRF5210STRL | Infineon Technologies | 7,112 | MOSFET Automotive MOSFET P 38A 150nC D2Pak |
| IRF7759L2TRPBF | Infineon Technologies | 25,073 | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC |
| CSD19536KTTT | Texas Instruments | 11,400 | MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET |
| IAUT300N08S5N014ATMA1 | Infineon Technologies | 10,974 | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
| IPB027N10N3 G | Infineon Technologies | 13,952 | MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
| IPB027N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 5,000 | MOSFET N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
| IPB019N08N3 G | Infineon Technologies | 4,850 | MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 |
