sales@szcinty.com
Обзор продукта
- номер части
- GWCR0603-620KFT5
- Производитель
- Welwyn / TT Electronics
- Категория продукта
- Толстопленочные резисторы
- Описание
- Thick Film Resistors - SMD 1/10W 620K Ohm 1%
Документы и СМИ
- Спецификации
- GWCR0603-620KFT5
Атрибуты продукта
- Case Code - in :
- 0603
- Case Code - mm :
- 1608
- Features :
- -
- Maximum Operating Temperature :
- + 155 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Packaging :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Power Rating :
- 100 mW (1/10 W)
- Resistance :
- 620 kOhms
- Series :
- GWCR
- Temperature Coefficient :
- 100 PPM / C
- Tolerance :
- 1 %
- Voltage Rating :
- 75 V
Описание
Thick Film Resistors - SMD 1/10W 620K Ohm 1%
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
| Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
|---|---|---|---|
| BSZ039N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 3,665 | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
| EFC4K110NUZTDG | onsemi | 3,804 | MOSFET Dual NCH 24V 25A |
| SIHD186N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | 2,550 | MOSFET N-CHANNEL 600V |
| FDMD8440L | onsemi | 2,738 | MOSFET FET 40V 87A 2.6 mOhm |
| IPP60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | 1,005 | MOSFET HIGH POWER_NEW |
| FDP4D5N10C | onsemi | 530 | MOSFET FET 100V 128A 4.5 mOhm |
| IPB60R070CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | 750 | MOSFET HIGH POWER_NEW |
| SIHG050N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | 420 | MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
| SCT30N120H | STMicroelectronics | 277 | MOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION |
| SIR112DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | 3,197 | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
| SISS04DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | 2,287 | MOSFET 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S |
| IPN80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | 5,039 | MOSFET LOW POWER_NEW |
| SIDR608DP-T1-RE3 | Vishay Semiconductors | 4,873 | MOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S) MOSFET |
| SIHA22N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | 1,606 | MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220; w/diode |
| IAUC100N04S6L014ATMA1 | Infineon Technologies | 3,752 | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
