Обзор продукта
- номер части
- HVC2512C-18K7JT18
- Производитель
- Welwyn / TT Electronics
- Категория продукта
- Толстопленочные резисторы — для поверхностного монтажа
- Описание
- Thick Film Resistors - SMD 2512 18K7 Ohms 10% 50 PPM
Документы и СМИ
- Спецификации
- HVC2512C-18K7JT18
Атрибуты продукта
- Application :
- Automotive Grade
- Case Code - in :
- 2512
- Case Code - mm :
- 6432
- Features :
- -
- Packaging :
- Reel
- Qualification :
- AEC-Q200
- Resistance :
- 18.7 kOhms
- Series :
- HVC
- Temperature Coefficient :
- 50 PPM / C
- Tolerance :
- 10 %
Описание
Thick Film Resistors - SMD 2512 18K7 Ohms 10% 50 PPM
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
STF28N65M2 | STMicroelectronics | 922 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
SUP60030E-GE3 | Vishay Semiconductors | 959 | MOSFET 80V Vds 20V Vgs TO-220 |
BUK964R2-55B,118 | Nexperia | 4,115 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |
PSMN005-75B,118 | Nexperia | 2,162 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
STP9NK70ZFP | STMicroelectronics | 1,783 | MOSFET N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A |
STP6NK90ZFP | STMicroelectronics | 1,454 | MOSFET N-Ch, 900V-1.56ohms Zener SuperMESH 5.8A |
STP8NK80Z | STMicroelectronics | 1,257 | MOSFET N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH |
R6009ENX | ROHM Semiconductor | 995 | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET |
IRFIB6N60APBF | Vishay Semiconductors | 1,069 | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
SIHB15N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | 1,098 | MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | 4,301 | MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN |
SI7192DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | 2,342 | MOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V |
IPD65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | 2,522 | MOSFET HIGH POWER_NEW |
STW18N65M5 | STMicroelectronics | 1,153 | MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET |
FDP24N40 | onsemi / Fairchild | 1,013 | MOSFET 400V N-Channel |