sales@szcinty.com
Обзор продукта
- номер части
- RS1/45R000FB12
- Производитель
- Vishay / Dale
- Категория продукта
- Резисторы с проволочной обмоткой
- Описание
- Wirewound Resistors - Through Hole 0.4watt 5ohms 1%
Документы и СМИ
- Спецификации
- RS1/45R000FB12
Атрибуты продукта
- Length :
- 7.1 mm
- Maximum Operating Temperature :
- + 250 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 65 C
- Power Rating :
- 400 mW
- Resistance :
- 5 Ohms
- Series :
- RS
- Temperature Coefficient :
- 50 PPM / C
- Termination Style :
- Axial
- Tolerance :
- 1 %
- Width :
- 2.2 mm
Описание
Wirewound Resistors - Through Hole 0.4watt 5ohms 1%
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
| Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
|---|---|---|---|
| PMV30ENEAR | Nexperia | 3,000 | MOSFET 40V N-CHANNEL |
| DMP2023UFDF-7 | Diodes Incorporated | 3,000 | MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8Vgss -7.6A ID 0.7W |
| NVD3055-094T4G-VF01 | onsemi | 3,000 | MOSFET NFET DPAK 60V 12A 94MOHM |
| BUK9M53-60EX | Nexperia | 3,000 | MOSFET 60V N-CHANNEL LOGIC LEVEL |
| STP4N52K3 | STMicroelectronics | 3,000 | MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3 |
| NP50P03YDG-E1-AY | Renesas Electronics | 3,000 | MOSFET MOSFET |
| IRL530STRRPBF | Vishay / Siliconix | 3,000 | MOSFET N-Chan 100V 15 Amp |
| STL16N65M2 | STMicroelectronics | 3,000 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
| IXTA32N20T | IXYS | 3,000 | MOSFET 32 Amps 200V 78 Rds |
| IXFA80N25X3TRL | IXYS | 3,000 | MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44 |
| DMC1018UPD-13 | Diodes Incorporated | 3,000 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
| STD80N4F6 | STMicroelectronics | 3,000 | MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate |
| SPB18P06PGATMA1 | Infineon Technologies | 3,000 | MOSFET P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2 |
| RJK0454DPB-00#J5 | Renesas Electronics | 3,000 | MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF |
| SI7684DP-T1-E3 | Vishay / Siliconix | 3,000 | MOSFET 30V 20A 27.5W |
