Обзор продукта
- номер части
- RSSD25168AR120MB00
- Производитель
- Vishay / Sfernice
- Категория продукта
- Резисторы с проволочной обмоткой — монтаж на шасси
- Описание
- Wirewound Resistors - Chassis Mount 200W .12ohm 20%
Документы и СМИ
- Спецификации
- RSSD25168AR120MB00
Атрибуты продукта
- Length :
- 168 mm
- Maximum Operating Temperature :
- + 450 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Packaging :
- Bulk
- Power Rating :
- 200 W
- Resistance :
- 120 mOhms
- Series :
- RSSD
- Temperature Coefficient :
- 75 PPM / C
- Termination Style :
- Solder Lug
- Tolerance :
- 20 %
- Width :
- 27 mm
Описание
Wirewound Resistors - Chassis Mount 200W .12ohm 20%
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
SIJA54DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | 5,980 | MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L |
NVTFS4C05NTAG | onsemi | 5,980 | MOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM |
IAUC60N04S6L039ATMA1 | Infineon Technologies | 4,995 | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
DMT6009LK3-13 | Diodes Incorporated | 7,381 | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A |
SQ4080EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | 5,000 | MOSFET N-Channel 150V SO-8 |
DMT10H010LK3-13 | Diodes Incorporated | 19,345 | MOSFET MOSFET BVDSS 61V-100V |
DMTH43M8LPSQ-13 | Diodes Incorporated | 5,000 | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
ZVN4306GVTA | Diodes Incorporated | 5,995 | MOSFET Avalanche |
FQB6N80TM | onsemi / Fairchild | 4,800 | MOSFET 800V N-Channel QFET |
IRF6727MTRPBF | Infineon Technologies | 4,780 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.7mOhms 49nC |
IPB019N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | 3,000 | MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
STB33N65M2 | STMicroelectronics | 3,976 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
IRFPF40PBF | Vishay Semiconductors | 2,946 | MOSFET 900V N-CH HEXFET |
SCTW40N120G2VAG | STMicroelectronics | 600 | MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm |
IXFB90N85X | IXYS | 150 | MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class |