Обзор продукта
- номер части
- 24-650-20
- Производитель
- Aries Electronics
- Категория продукта
- Разъемы для интегральных схем и компонентов
- Описание
- IC & Component Sockets 24P DIP CVR HT .515" MAX COMP HT .375"
Документы и СМИ
- Спецификации
- 24-650-20
Атрибуты продукта
- Number of Positions :
- 24 Position
- Number of Rows :
- 2 Row
- Packaging :
- Bulk
- Product :
- Accessories
- Termination Style :
- Solder Pin
Описание
IC & Component Sockets 24P DIP CVR HT .515" MAX COMP HT .375"
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
BFP196WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 6,527 | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
BFP 196W H6327 | Infineon Technologies | 5,791 | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
BFU530WX | NXP Semiconductors | 5,896 | RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor |
BFU550XAR | NXP Semiconductors | 60 | RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor |
BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 5,526 | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
BFS19,215 | Nexperia | 13,847 | RF Bipolar Transistors TRANS MED FREQ |
BFU610F,115 | NXP Semiconductors | 3,341 | RF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz |
BFP 640 H6327 | Infineon Technologies | 3,939 | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
BFS 483 H6327 | Infineon Technologies | 4,591 | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
BFR 182W H6327 | Infineon Technologies | 24,824 | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
BFP 450 H6327 | Infineon Technologies | 537 | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
BFU725F/N1,115 | NXP Semiconductors | 2,407 | RF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN |
BFU660F,115 | NXP Semiconductors | 4,190 | RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz |
BFR340L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | 11,057 | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
BFP640H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 830 | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |