sales@szcinty.com
Обзор продукта
- номер части
- ERG-2SJ430
- Производитель
- Panasonic Electronic Components
- Категория продукта
- Металлооксидные резисторы
- Описание
- Metal Oxide Resistors Metal Oxide Film Resistor 2W 5%
Документы и СМИ
- Спецификации
- ERG-2SJ430
Атрибуты продукта
- Diameter :
- 4 mm
- Length :
- 12 mm
- Packaging :
- Bulk
- Power Rating :
- 2 W
- Qualification :
- AEC-Q200
- Resistance :
- 43 Ohms
- Series :
- ERG(X)S
- Temperature Coefficient :
- 350 PPM / C
- Termination Style :
- Axial
- Tolerance :
- 5 %
- Voltage Rating :
- 350 V
Описание
Metal Oxide Resistors Metal Oxide Film Resistor 2W 5%
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
| Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
|---|---|---|---|
| NVMFS4C03NT1G | onsemi | 1,500 | MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO |
| STF100N6F7 | STMicroelectronics | 2,000 | MOSFET LGS LV MOSFET |
| IPA80R1K4P7XKSA1 | Infineon Technologies | 1,000 | MOSFET LOW POWER_NEW |
| FDI150N10 | onsemi / Fairchild | 1,217 | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench |
| SQM60N06-15_GE3 | Vishay / Siliconix | 800 | MOSFET 60V 60A 100W AEC-Q101 Qualified |
| BSS123_R1_00001 | PANJIT | 2,826 | MOSFET /A76/TR/7"/HF/3K/SOT-23/MOS/SOT/NFET-100TMN/NF100T-QI02/PJ/// |
| SSM3J66MFV,L3F | Toshiba | 7,900 | MOSFET MOSFET |
| PMPB29XPE,115 | Nexperia | 2,968 | MOSFET 20V P-CHANNEL TRENCHMOS |
| US6K2TR | ROHM Semiconductor | 6,000 | MOSFET 2N-CH 30V 1.4A |
| CSD85302LT | Texas Instruments | 250 | MOSFET 20V Dual N ch MOSFET |
| IPD80R4K5P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2,400 | MOSFET LOW POWER_NEW |
| TK30A06N1,S4X | Toshiba | 900 | MOSFET MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V |
| IRF9Z14SPBF | Vishay Semiconductors | 993 | MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET D |
| IPB80N04S4-04 | Infineon Technologies | 1,995 | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 |
| BUK9K32-100EX | Nexperia | 1,192 | MOSFET Dual N-channel 100 V |
