Обзор продукта
- номер части
- GC1350032
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Категория продукта
- Кристаллы
- Описание
- Crystals Crystal Metal Can 49S/SMD T&R 1K
Документы и СМИ
- Спецификации
- GC1350032
Атрибуты продукта
- Drive Level :
- 100 uW
- ESR :
- 40 Ohms
- Frequency :
- 13.5 MHz
- Frequency Stability :
- 20 PPM
- Height :
- 4 mm
- Length :
- 11.7 mm
- Load Capacitance :
- 18 pF
- Maximum Operating Temperature :
- + 85 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 40 C
- Termination Style :
- SMD/SMT
- Tolerance :
- 10 PPM
- Width :
- 4.8 mm
Описание
Crystals Crystal Metal Can 49S/SMD T&R 1K
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
STP18NM60N | STMicroelectronics | 2,000 | MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh |
SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | 7,212 | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
TPHR7904PB,L1XHQ | Toshiba | 10,024 | MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
STW28N65M2 | STMicroelectronics | 1,200 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
DMP1046UFDB-13 | Diodes Incorporated | 78,930 | MOSFET 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | 40,000 | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W |
DMTH6016LFVWQ-7 | Diodes Incorporated | 6,000 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
TPCC8105,L1Q | Toshiba | 10,980 | MOSFET PWR MOS PD=30W F=1MHZ |
DMPH6050SSD-13 | Diodes Incorporated | 18,222 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
SIZ250DT-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | 5,918 | MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S |
IPD038N06N3 G | Infineon Technologies | 5,000 | MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 |
IPD90N04S4-02 | Infineon Technologies | 2,500 | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
IPD80R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | 5,000 | MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 |
FDMC010N08C | onsemi | 9,000 | MOSFET PTNG 80/20V IN 51A 10 mOhm |
NTMFS5113PLT1G | onsemi | 1,500 | MOSFET NFET SO8FL 60V 69A 1 6MOHM |