Обзор продукта
- номер части
- 4143AB51H02400
- Производитель
- Laird Performance Materials
- Категория продукта
- Прокладки, листы, поглотители и экранирование EMI
- Описание
- EMI Gaskets, Sheets, Absorbers & Shielding GK,NICU,PTAFG,PU,V0,REC
Документы и СМИ
- Спецификации
- 4143AB51H02400
Атрибуты продукта
- Packaging :
- Bulk
- Product Type :
- EMI Gaskets, Sheets & Absorbers
- Series :
- 51H
Описание
EMI Gaskets, Sheets, Absorbers & Shielding GK,NICU,PTAFG,PU,V0,REC
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
VS-VSKD320-20PBF | Vishay Semiconductors | 1 | Discrete Semiconductor Modules 2000volt 320amp |
PK250HB160 | SanRex | 1 | Discrete Semiconductor Modules Discrete Semiconductor Modules 1600V 250A |
MCO600-22IO1 | IXYS | 5 | Discrete Semiconductor Modules 600 Amps 2200V |
FRS400EA200 | SanRex | 1 | Discrete Semiconductor Modules Discrete Semiconductor Modules 2000V 400A |
IXFN360N10T | IXYS | 1 | Discrete Semiconductor Modules 360 Amps 100V |
VS-FC420SA10 | Vishay Semiconductors | 9 | Discrete Semiconductor Modules 100V 435A Module SOT-227 |
IXFN140N30P | IXYS | 2 | Discrete Semiconductor Modules 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds |
IXFN80N50P | IXYS | 7 | Discrete Semiconductor Modules 500V 80A |
IXTN600N04T2 | IXYS | 7 | Discrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
IXFN110N60P3 | IXYS | 7 | Discrete Semiconductor Modules 600V 90A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET |
APT8024JLL | Microsemi / Microchip | 38 | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 800V, 0.24_OHM, SOT-227 |
FF23MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | 2 | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
MCC310-16IO1 | IXYS | 2 | Discrete Semiconductor Modules 310 Amps 1600V |
FF11MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | 1 | Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
BSM300D12P2E001 | ROHM Semiconductor | 1 | Discrete Semiconductor Modules 300A SiC Power Module |