Обзор продукта
- номер части
- MMZ1005D100CT000
- Производитель
- TDK
- Категория продукта
- Ферритовые бусины
- Описание
- Ferrite Beads 10 OHM 25%
Документы и СМИ
- Спецификации
- MMZ1005D100CT000
Атрибуты продукта
- Height :
- 0.5 mm
- Impedance :
- 10 Ohms
- Length :
- 1 mm
- Maximum DC Current :
- 500 mA
- Maximum DC Resistance :
- 100 mOhms
- Maximum Operating Temperature :
- + 125 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Package / Case :
- 0402 (1005 metric)
- Packaging :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Series :
- MMZ
- Termination Style :
- SMD/SMT
- Width :
- 0.5 mm
Описание
Ferrite Beads 10 OHM 25%
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
ZVN4525ZTA | Diodes Incorporated | 12,000 | MOSFET N-Chnl 250V |
IRFR9120NTRPBF | Infineon Technologies | 9,960 | MOSFET 20V -100V P-CH FET 480mOhms 18nC |
IRF7313TRPBF | Infineon Technologies | 37,708 | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A |
DMTH6016LSD-13 | Diodes Incorporated | 29,980 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
ZVP2110A | Diodes Incorporated | 7,100 | MOSFET P-Chnl 100V |
NDS9407 | onsemi / Fairchild | 17,121 | MOSFET Single P-Ch MOSFET Power Trench |
BSZ086P03NS3E G | Infineon Technologies | 14,987 | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 |
IPC50N04S5L5R5ATMA1 | Infineon Technologies | 13,098 | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
IPD220N06L3 G | Infineon Technologies | 36,585 | MOSFET N-Ch 60V 30A DPAK-2 OptiMOS 3 |
CSD17581Q3A | Texas Instruments | 19,262 | MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 4.7 mOhm 8-VSONP -55 to 150 |
STD10P6F6 | STMicroelectronics | 10,826 | MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat |
ZVP0545GTA | Diodes Incorporated | 13,462 | MOSFET P-Chnl 450V |
DMPH6050SFGQ-7 | Diodes Incorporated | 11,500 | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
BSZ086P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | 20,000 | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 |
ZXMN6A25GTA | Diodes Incorporated | 12,983 | MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) |