sales@szcinty.com
Обзор продукта
- номер части
- 700B392MT50XC100
- Производитель
- ATC / Kyocera AVX
- Категория продукта
- Кремниевые ВЧ конденсаторы/тонкопленочные
- Описание
- Silicon RF Capacitors / Thin Film
Документы и СМИ
- Спецификации
- 700B392MT50XC100
Атрибуты продукта
- Capacitance :
- 3900 pF
- Case Code - in :
- 1111
- Case Code - mm :
- 2828
- Height :
- 2.59 mm
- Length :
- 2.79 mm
- Maximum Operating Temperature :
- + 125 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Operating Temperature Range :
- - 55 C to + 125 C
- Package / Case :
- 1111 (2828 metric)
- Packaging :
- Waffle
- Series :
- 700B
- Tolerance :
- 20 %
- Voltage Rating :
- 50 VDC
- Width :
- 2.79 mm
Описание
Silicon RF Capacitors / Thin Film
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
| Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
|---|---|---|---|
| IXFA230N075T2 | IXYS | 3,000 | MOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET |
| TK35A65W,S5X | Toshiba | 3,000 | MOSFET MOSFET NChannel 068ohm DTMOS |
| SIHG33N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | 3,000 | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
| IXTQ96N15P | IXYS | 3,000 | MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds |
| IXTA42N25P | IXYS | 3,000 | MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds |
| IXFP18N65X2 | IXYS | 3,000 | MOSFET 650V/18A TO-220 |
| IXTA380N036T4-7 | IXYS | 3,000 | MOSFET MSFT N-CH TRENCHGATE-GEN4 |
| STF33N60DM6 | STMicroelectronics | 3,000 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
| IPP65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | 3,000 | MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
| IXFP18N65X2M | IXYS | 3,000 | MOSFET 650V/18A OVERMOLDED TO-220 |
| IXTQ60N20T | IXYS | 3,000 | MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1 |
| IXTP12N70X2M | IXYS | 3,000 | MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
| GS-065-011-2-L-TR | GaN Systems | 3,000 | MOSFET 650V, 11A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled |
| IXFP130N10T2 | IXYS | 3,000 | MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
| IXTH12N65X2 | IXYS | 3,000 | MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
