sales@szcinty.com
Обзор продукта
- номер части
- NOSW686M002R0150
- Производитель
- Kyocera AVX
- Категория продукта
- Оксидно-ниобиевые конденсаторы
- Описание
- Niobium Oxide Capacitors 2.5V 68uF 20% ESR=150mOhm
Документы и СМИ
- Спецификации
- NOSW686M002R0150
Атрибуты продукта
- Capacitance :
- 68 uF
- ESR :
- 150 mOhms
- Height :
- 1.5 mm
- Leakage Current :
- 3.4 uA
- Length :
- 6 mm
- Maximum Operating Temperature :
- + 125 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Package / Case :
- 2312 (6032 metric)
- Packaging :
- Reel
- Ripple Current :
- 849 mA
- Series :
- NOS
- Tolerance :
- 20 %
- Voltage Rating DC :
- 2.5 VDC
- Width :
- 3.2 mm
Описание
Niobium Oxide Capacitors 2.5V 68uF 20% ESR=150mOhm
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
| Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
|---|---|---|---|
| SI1424EDH-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | 4,750 | MOSFET 20V N-CHANNEL (D-S) |
| PMPB14R0EPX | Nexperia | 2,730 | MOSFET MOS DISCRETES |
| BSS127IXTSA1 | Infineon Technologies | 2,716 | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS |
| NVMYS010N04CLTWG | onsemi | 1,646 | MOSFET 40V 10Ohm 38A Single N-Channel |
| SIS178LDN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | 803 | MOSFET N-CHANNEL 70-V (D-S) |
| IRL520PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | 566 | MOSFET 100V N-CH HEXFET |
| SI1499DH-T1-BE3 | Vishay | 5,856 | MOSFET 1.5V P-CHANNEL (G-S) |
| TK190A65Z,S4X | Toshiba | 222 | MOSFET MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI |
| PXN8R3-30QLJ | Nexperia | 2,883 | MOSFET MOS DISCRETES |
| NTB011N15MC | onsemi | 800 | MOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK |
| SI3460DDV-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | 8,757 | MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) |
| IRFBG20PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | 1,835 | MOSFET 1000V N-CH HEXFET |
| IRF820APBF-BE3 | Vishay / Siliconix | 1,533 | MOSFET 500V N-CH HEXFET |
| IPP129N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | 1,000 | MOSFET TRENCH >=100V |
| IRFB11N50APBF-BE3 | Vishay / Siliconix | 961 | MOSFET 500V N-CH HEXFET |
