Обзор продукта
- номер части
- 917803-2
- Производитель
- TE Connectivity
- Категория продукта
- Заголовки и кабельные вводы
- Описание
- Headers & Wire Housings TAB 12-10 AWG 15 AU Reel of 1200
Документы и СМИ
- Спецификации
- 917803-2
Атрибуты продукта
- Contact Plating :
- Gold
- Mating Post Length :
- -
- Mounting Angle :
- -
- Mounting Style :
- -
- Number of Positions :
- -
- Number of Rows :
- -
- Packaging :
- Reel
- Pitch :
- -
- Product :
- Contacts
- Row Spacing :
- -
- Series :
- D-5000
- Termination Post Length :
- -
- Termination Style :
- Crimp
- Tradename :
- DYNAMIC SERIES
- Type :
- -
- Wire Gauge :
- 12 AWG to 10 AWG
Описание
Headers & Wire Housings TAB 12-10 AWG 15 AU Reel of 1200
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
SIHP186N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | 962 | MOSFET N-CHANNEL 600V |
SIHB22N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | 872 | MOSFET Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263; w/diode |
IPD60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | 2,402 | MOSFET HIGH POWER_NEW |
IPDD60R150G7XTMA1 | Infineon Technologies | 1,771 | MOSFET HIGH POWER_NEW |
NVMTS0D6N04CLTXG | onsemi | 3,948 | MOSFET T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION |
GS-065-011-2-L-MR | GaN Systems | 807 | MOSFET 650V, 11A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled |
TK25V60X5,LQ | Toshiba | 1,846 | MOSFET PWR MOS PD=180W F=1MHZ |
NTD5C434NT4G | onsemi | 2,260 | MOSFET T6 40V SL IN DPAK |
SIHP125N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | 1,050 | MOSFET N-CHANNEL 600V |
SIHH186N60EF-T1GE3 | Vishay / Siliconix | 3,000 | MOSFET N-CHANNEL 600V |
SIHB100N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | 934 | MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
TK28V65W5,LQ | Toshiba | 4,970 | MOSFET PWR MOS PD=240W F=1MHZ |
TK22V65X5,LQ | Toshiba | 1,511 | MOSFET PWR MOS PD=180W F=1MHZ |
SIHB120N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | 1,010 | MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
STB35N65DM2 | STMicroelectronics | 915 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |