Обзор продукта
- номер части
- 24LC512T-I/SN
- Производитель
- Microchip Technology
- Категория продукта
- ЭСППЗУ
- Описание
- EEPROM 512K 64K X 8 2.5V SER EE IND
Документы и СМИ
- Спецификации
- 24LC512T-I/SN
Атрибуты продукта
- Access Time :
- 900 ns
- Data Retention :
- 200 Year
- Interface Type :
- 2-Wire, I2C
- Maximum Clock Frequency :
- 1 MHz
- Maximum Operating Temperature :
- + 85 C
- Memory Size :
- 512 kbit
- Minimum Operating Temperature :
- - 40 C
- Mounting Style :
- SMD/SMT
- Organization :
- 64 k x 8
- Package / Case :
- SOIC-8
- Packaging :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Supply Current - Max :
- 5 mA
- Supply Voltage - Max :
- 5.5 V
- Supply Voltage - Min :
- 2.5 V
Описание
EEPROM 512K 64K X 8 2.5V SER EE IND
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
71V416L10BE | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
71V416S12BE | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
71V416S15BE | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
71V416S10BE | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM |
GS8662TT37BD-333I | GSI Technology | 3,000 | SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M |
GS8662T37BD-333I | GSI Technology | 3,000 | SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M |
GS8662T19BD-333I | GSI Technology | 3,000 | SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M |
GS8662TT19BD-333I | GSI Technology | 3,000 | SRAM 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M |
71V016SA10BF | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 64KX16 CMOS SRAM 3.3V |
70V7599S166BC | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 128K X 36, 4M |
70V658S10BC | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 64Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM |
70V7319S166BC | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 256K X 18, 4M |
70V3399S166BC | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 128Kx18 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM |
70V3589S166BC | Renesas / IDT | 3,000 | SRAM 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM |
GS8662DT07BD-400 | GSI Technology | 3,000 | SRAM 1.8 or 1.5V 8M x 8 64M |