Обзор продукта
- номер части
- TMAG5123EVM
- Производитель
- Texas Instruments
- Категория продукта
- Средства разработки магнитных датчиков
- Описание
- Magnetic Sensor Development Tools TMAG5123 in-plane high-precision Hall effect switch evaluation module
Документы и СМИ
- Спецификации
- TMAG5123EVM
Атрибуты продукта
- Product :
- Evaluation Module
- Tool Is For Evaluation Of :
- TMAG5123
Описание
Magnetic Sensor Development Tools TMAG5123 in-plane high-precision Hall effect switch evaluation module
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
IS62WV6416BLL-55TLI | ISSI | 212 | SRAM 1Mb 64Kx16 55ns Async SRAM |
IS61WV12816DBLL-10BLI | ISSI | 443 | SRAM 2M (128Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v |
IS62WV102416BLL-25TLI | ISSI | 23 | SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM |
CY62126EV30LL-45BVXI | Cypress Semiconductor | 58 | SRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 LP SRAM |
IS62WV6416BLL-55BLI | ISSI | 77 | SRAM 1Mb 64Kx16 55ns Async SRAM |
AS7C256A-15JIN | Alliance Memory | 3 | SRAM 256K, 5V, 15ns, FAST 32K x 8 Asynch SRAM |
71256SA25YG | Renesas / IDT | 265 | SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
CY7C1021D-10ZSXIT | Cypress Semiconductor | 81 | SRAM 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async SRAM |
CY62146ELL-45ZSXIT | Cypress Semiconductor | 63 | SRAM 4Mb 45ns 256K x 16 Low Power SRAM |
CY7C1312KV18-250BZXC | Cypress Semiconductor | 15 | SRAM 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II SRAM |
IS61C64AL-10JLI-TR | ISSI | 1,347 | SRAM 64K 8Kx8 10ns 5V Async SRAM |
IS61WV5128BLL-10TLI-TR | ISSI | 429 | SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM |
IS61C25616AS-25TLI | ISSI | 18 | SRAM 4M (256Kx16) 25ns Async SRAM |
IS62WV51216EALL-55TLI | ISSI | 135 | SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns |
47C16-I/P | Microchip Technology | 424 | SRAM 16k, 5.0V EERAM IND |