Обзор продукта
- номер части
- SMBJ58A-AT/TR13
- Производитель
- YAGEO
- Категория продукта
- Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения
- Описание
- ESD Suppressors / TVS Diodes SMBJ, DO-214AA, 58V, 93.6V, AUTO, Reel 13"
Документы и СМИ
- Спецификации
- SMBJ58A-AT/TR13
Атрибуты продукта
- Breakdown Voltage :
- 64.4 V
- Clamping Voltage :
- 93.6 V
- Ipp - Peak Pulse Current :
- 6.5 A
- Maximum Operating Temperature :
- + 150 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 65 C
- Number of Channels :
- 1 Channel
- Package / Case :
- DO-214AA-2
- Packaging :
- Cut Tape, MouseReel, Reel
- Polarity :
- Bidirectional
- Pppm - Peak Pulse Power Dissipation :
- 600 W
- Product Type :
- TVS Diodes
- Series :
- SMBJ-AT
- Termination Style :
- SMD/SMT
- Working Voltage :
- 58 V
Описание
ESD Suppressors / TVS Diodes SMBJ, DO-214AA, 58V, 93.6V, AUTO, Reel 13"
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
STW34NM60N | STMicroelectronics | 752 | MOSFET N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M |
IXFH20N80P | IXYS | 361 | MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds |
FCA36N60NF | onsemi / Fairchild | 404 | MOSFET 600V N-Ch SupreMOS FRFET MOSFET |
IPP65R065C7 | Infineon Technologies | 471 | MOSFET HIGH POWER_NEW |
IPP110N20NA | Infineon Technologies | 1,415 | MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 |
STB34NM60ND | STMicroelectronics | 1,110 | MOSFET N-Ch Power Mosfet 600V 0.097 Ohm 29A |
IXTH15N50L2 | IXYS | 1,255 | MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A |
FCA47N60-F109 | onsemi / Fairchild | 487 | MOSFET 650V SUPER FET |
IXFT36N50P | IXYS | 319 | MOSFET 500V 36A |
SIHG47N60E-E3 | Vishay / Siliconix | 484 | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
APT20M36BFLLG | Microsemi / Microchip | 553 | MOSFET FG, FREDFET, 200V, TO-247, RoHS |
FQA19N60 | onsemi / Fairchild | 764 | MOSFET 600V N-CH QFET |
FQL40N50F | onsemi / Fairchild | 320 | MOSFET 500V N-Channel FRFET |
STW72N60DM2AG | STMicroelectronics | 798 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
IPZ65R065C7 | Infineon Technologies | 277 | MOSFET HIGH POWER_NEW |