Обзор продукта
- номер части
- 895-027-523-104
- Производитель
- EDAC
- Категория продукта
- Стандартные краевые разъемы карты
- Описание
- Standard Card Edge Connectors .100" (2.54mm) Pitch Card Edge Connector
Документы и СМИ
- Спецификации
- 895-027-523-104
Атрибуты продукта
- Board Thickness :
- 1.57 mm
- Contact Plating :
- Gold
- Mounting Angle :
- Straight
- Mounting Style :
- Panel Mount
- Number of Positions :
- 27 Position
- Pitch :
- 2.54 mm
- Product :
- Receptacles
Описание
Standard Card Edge Connectors .100" (2.54mm) Pitch Card Edge Connector
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
PSMN8R3-40YS,115 | Nexperia | 8 | MOSFET N-CH 40V 8.6 mOhm Standard MOSFET |
BUK9M5R2-30EX | Nexperia | 27 | MOSFET 30V N-CHANNEL LOGIC LEVEL |
SIZ320DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | 2,287 | MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3 |
DMC4029SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 2,623 | MOSFET Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W |
STD3NM60N | STMicroelectronics | 1,975 | MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II |
TPH14006NH,L1Q | Toshiba | 333 | MOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET |
PHB21N06LT,118 | Nexperia | 1,345 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | 1,983 | MOSFET Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified |
DMC1016UPD-13 | Diodes Incorporated | 2,206 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
SIRA90ADP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | 20 | MOSFET 30V N-CHANNEL (D-S) |
BSC252N10NSFGXT | Infineon Technologies | 2,012 | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 |
RD3H080SPFRATL | ROHM Semiconductor | 11 | MOSFET Pch -45V Vdss -8A ID TO-252(DPAK); TO-252 |
SI4932DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | 2,309 | MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V |
ISC028N04NM5ATMA1 | Infineon Technologies | 198 | MOSFET TRENCH <= 40V |
BUK9608-55B,118 | Nexperia | 619 | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS |