Обзор продукта
- номер части
- 846-019-520-112
- Производитель
- EDAC
- Категория продукта
- Стандартные краевые разъемы карты
- Описание
- Standard Card Edge Connectors High Temp Card Edge Connectors
Документы и СМИ
- Спецификации
- 846-019-520-112
Атрибуты продукта
- Board Thickness :
- 1.57 mm
- Contact Plating :
- Gold
- Mounting Angle :
- Vertical
- Mounting Style :
- Through Hole
- Number of Positions :
- 19 Position
- Pitch :
- 3.175 mm
- Product :
- Receptacles
Описание
Standard Card Edge Connectors High Temp Card Edge Connectors
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
SQJ850EP-T2_GE3 | Vishay / Siliconix | 4,995 | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
SQJB44EP-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | 2,637 | MOSFET DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
BUK7S2R5-40HJ | Nexperia | 1,926 | MOSFET MOSFET DISCRETES |
BUK7S2R0-40HJ | Nexperia | 1,904 | MOSFET MOSFET DISCRETES |
ISC012N04LM6ATMA1 | Infineon Technologies | 4,647 | MOSFET TRENCH <= 40V |
SIHA22N60EL-GE3 | Vishay / Siliconix | 933 | MOSFET N-CHANNEL600V |
PSMNR55-40SSHJ | Nexperia | 1,350 | MOSFET MOSFET DISCRETES |
IPTG007N06NM5ATMA1 | Infineon Technologies | 950 | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
IPTG011N08NM5ATMA1 | Infineon Technologies | 835 | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
IPTG210N25NM3FDATMA1 | Infineon Technologies | 490 | MOSFET TRENCH >=100V |
IMW65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 240 | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
IMZA65R083M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 240 | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
IMW65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 233 | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 230 | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 240 | MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |