sales@szcinty.com
Обзор продукта
- номер части
- 345-021-524-403
- Производитель
- EDAC
- Категория продукта
- Стандартные краевые разъемы карты
- Описание
- Standard Card Edge Connectors .100" (2.54mm) Pitch Card Edge Connector
Документы и СМИ
- Спецификации
- 345-021-524-403
Атрибуты продукта
- Series :
- 345
Описание
Standard Card Edge Connectors .100" (2.54mm) Pitch Card Edge Connector
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
| Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
|---|---|---|---|
| FQB47P06TM-AM002 | onsemi / Fairchild | 10,033 | MOSFET 60V P-Channel QFET |
| SQP90P06-07L_GE3 | Vishay Semiconductors | 11,574 | MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
| BSC190N15NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 856 | MOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
| SQM120P04-04L_GE3 | Vishay / Siliconix | 14,686 | MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified |
| SQM120P06-07L_GE3 | Vishay / Siliconix | 64,225 | MOSFET 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified |
| BSC035N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 98,440 | MOSFET 100VPower transistor OptiMOS 5 |
| BSC014N06NS | Infineon Technologies | 32,312 | MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS |
| BSC014N06NSATMA1 | Infineon Technologies | 9,900 | MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS |
| C3M0350120D | Wolfspeed / Cree | 4,930 | MOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET |
| FDB3632 | onsemi / Fairchild | 10,262 | MOSFET N-Channel PowerTrench |
| SQM120P10_10M1LGE3 | Vishay Semiconductors | 48,441 | MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs |
| BSC014N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | 9,490 | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
| PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 25,411 | MOSFET N-channel 100 V 4.8 mo FET |
| PSMN3R7-100BSEJ | Nexperia | 17,040 | MOSFET 100V N-CH STD LEVEL IN D2PAK |
| BSC025N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | 18,565 | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
