Обзор продукта
- номер части
- ESQ-106-37-G-S-LL
- Производитель
- Samtec
- Категория продукта
- Разъемы ПК/104
- Описание
- PC / 104 Connectors Elevated Socket Strip, 0.100 Pitch
Документы и СМИ
- Спецификации
- ESQ-106-37-G-S-LL
Атрибуты продукта
- Contact Material :
- Phosphor Bronze
- Contact Plating :
- Gold
- Housing Material :
- Polyester
- Number of Positions :
- 6 Position
- Product :
- Stackthrough
- Termination Style :
- Through Hole
Описание
PC / 104 Connectors Elevated Socket Strip, 0.100 Pitch
Цена и закупки
Сопутствующий продукт
Вас также может заинтересовать
Часть | Производитель | Снабжать | Описание |
---|---|---|---|
FCP380N60 | onsemi / Fairchild | 750 | MOSFET SuperFET2, 380mohm |
IRF620STRRPBF | Vishay Semiconductors | 89 | MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp |
IPP80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | 343 | MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 |
TK5A60W,S4VX | Toshiba | 149 | MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 380pF 20nC |
IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | 106 | MOSFET N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3 |
IRFZ44ZLPBF | Infineon Technologies | 926 | MOSFET MOSFT 55V 51A 13.9mOhm 29nC |
BUK753R1-40E,127 | Nexperia | 1,000 | MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET |
IPP70N12S311AKSA1 | Infineon Technologies | 463 | MOSFET N-CHANNEL 100+ |
STI18N65M2 | STMicroelectronics | 109 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
IPP114N12N3 G | Infineon Technologies | 224 | MOSFET N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3 |
IXTP70N075T2 | IXYS | 82 | MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds |
STFW2N105K5 | STMicroelectronics | 3 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STFU18N65M2 | STMicroelectronics | 959 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
IPB80N06S2L09ATMA2 | Infineon Technologies | 987 | MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
IRF830ALPBF | Vishay Semiconductors | 265 | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp |