Resumo do Produto
- Número da peça
- H8402RDZA
- Fabricante
- TE Connectivity / Holsworthy
- Categoria de Produto
- Resistores de filme metálico
- Descrição
- Metal Film Resistors - Through Hole H8 402R 0.5% 100PPM
Documentos e mídia
- Folhas de dados
- H8402RDZA
Atributos do produto
- Diameter :
- 2.5 mm
- Length :
- 7.2 mm
- Maximum Operating Temperature :
- + 155 C
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Packaging :
- Bulk
- Power Rating :
- 250 mW (1/4 W)
- Resistance :
- 402 Ohms
- Series :
- H8
- Temperature Coefficient :
- 100 PPM / C
- Termination Style :
- Axial
- Tolerance :
- 0.5 %
Descrição
Metal Film Resistors - Through Hole H8 402R 0.5% 100PPM
Preço e Aquisição
Produto Associado
Você também pode estar interessado em
Papel | Fabricante | Estoque | Descrição |
---|---|---|---|
STB17N80K5 | STMicroelectronics | 1,138 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STFU23N80K5 | STMicroelectronics | 999 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STI40N65M2 | STMicroelectronics | 861 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STL13N60M2 | STMicroelectronics | 2,843 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STP18NM60ND | STMicroelectronics | 894 | MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A FDMesh II |
STF35N65DM2 | STMicroelectronics | 997 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STW56N65M2-4 | STMicroelectronics | 527 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STP32NM50N | STMicroelectronics | 1,545 | MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET |
STF42N60M2-EP | STMicroelectronics | 1,282 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STL3NK40 | STMicroelectronics | 2,154 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STW68N60M6 | STMicroelectronics | 321 | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE |
STU10NM60N | STMicroelectronics | 2,983 | MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A |
STB28NM60ND | STMicroelectronics | 850 | MOSFET Nchnl 600 V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET |
STF28NM60ND | STMicroelectronics | 962 | MOSFET Nchanl 600V 0120 Ohm typ 24 A Pwr MOSFET |
STU2NK100Z | STMicroelectronics | 2,110 | MOSFET N-Ch, 1000V-6.25ohms Zener SuprMESH 1.85A |