rfq@cintymcu.com
Resumo do Produto
- Número da peça
- 857-032-454-104
- Fabricante
- EDAC
- Categoria de Produto
- Conectores de borda de cartão padrão
- Descrição
- Standard Card Edge Connectors High Temp Card Edge Connector
Documentos e mídia
- Folhas de dados
- 857-032-454-104
Atributos do produto
- Board Thickness :
- 1.57 mm
- Contact Plating :
- Gold
- Mounting Angle :
- Straight
- Mounting Style :
- Panel Mount
- Number of Positions :
- 32 Position
- Pitch :
- 3.96 mm
- Product :
- Receptacles
Descrição
Standard Card Edge Connectors High Temp Card Edge Connector
Preço e Aquisição
Produto Associado
Você também pode estar interessado em
| Papel | Fabricante | Estoque | Descrição |
|---|---|---|---|
| IRFU7540PBF | Infineon Technologies | 2,244 | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
| FCD7N60TM-WS | onsemi / Fairchild | 2,411 | MOSFET Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab |
| FDD86367-F085 | onsemi / Fairchild | 17,500 | MOSFET MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET |
| IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | 3,446 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC |
| BSO201SPHXUMA1 | Infineon Technologies | 4,837 | MOSFET P-Ch -20V -14.9A DSO-8 OptiMOS P |
| IRL620PBF | Vishay Semiconductors | 1,762 | MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF620PBF |
| IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 2,379 | MOSFET MOSFT 55V 51A 13.6mOhm 31nC |
| IRFU024PBF | Vishay Semiconductors | 2,474 | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET I-PAK |
| SIHD4N80E-GE3 | Vishay Semiconductors | 2,688 | MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
| TK290A60Y,S4X | Toshiba | 1,904 | MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A |
| PSMN2R7-30PL,127 | Nexperia | 4,424 | MOSFET N-CHAN 30V 100A |
| IPD80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2,280 | MOSFET LOW POWER_NEW |
| PSMN8R7-80PS,127 | Nexperia | 1,897 | MOSFET N-CHAN 80V 64A |
| SI6415DQ-T1-E3 | Vishay Semiconductors | 2,356 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6415DQ |
| SI4634DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | 2,500 | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
