sales@szcinty.com
Descripción del producto
- Número de parte
- HTSW-108-07-T-D
- Fabricante
- Samtec
- categoria de producto
- Cabeceras y carcasas de cables
- Descripción
- Headers & Wire Housings High Temperature PCB Header Strips, 0.100 pitch
Documentos y Medios
- Hojas de datos
- HTSW-108-07-T-D
Atributos del producto
- Contact Gender :
- Pin (Male)
- Minimum Operating Temperature :
- - 55 C
- Mounting Style :
- Through Hole
- Packaging :
- Bulk
- Pitch :
- 2.54 mm
- Product :
- Headers
- Series :
- HTSW
- Termination Style :
- Solder Pin
- Type :
- Pin Strip
Descripción
Headers & Wire Housings High Temperature PCB Header Strips, 0.100 pitch
Precio y Adquisiciones
Producto asociado
Usted también podría estar interesado en
| Parte | Fabricante | Existencias | Descripción |
|---|---|---|---|
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Infineon Technologies | 149 | MOSFET CONSUMER |
| FDD6630A | onsemi / Fairchild | 1,090 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench |
| RQ6C050BCTCR | ROHM Semiconductor | 254 | MOSFET Pch -20V -5A Si MOSFET |
| TN0104N3-G | Microchip Technology | 1,060 | MOSFET 40V 1.8Ohm |
| IPG20N04S4-12 | Infineon Technologies | 342 | MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 |
| FDMA7672 | onsemi / Fairchild | 116 | MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
| ZXMN3B04N8TA | Diodes Incorporated | 70 | MOSFET 30V N-Chnl UMOS |
| NTMFS5C682NLT1G | onsemi | 18 | MOSFET TRENCH 6 60V NFET |
| IPD50N06S2L13ATMA2 | Infineon Technologies | 240 | MOSFET MOSFET_)40V 60V) |
| FDD9409L-F085 | onsemi / Fairchild | 148 | MOSFET N-channel Power Trench MOSFET |
| STF5N62K3 | STMicroelectronics | 996 | MOSFET N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH 3 |
| CSD17311Q5 | Texas Instruments | 55 | MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET |
| IPP50R190CE | Infineon Technologies | 1,434 | MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3 |
| SIHB12N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | 304 | MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
| IXTP3N100D2 | IXYS | 265 | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A |
