Hersteller:
Package / Case:
Minimum Operating Temperature:
Maximum Operating Temperature:
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:
Holding Current Ih Max:
Breakover Current IBO Max:
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:
Gate Trigger Current - Igt:
Ausgewählte Bedingungen:
11 Aufzeichnungen
Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Onlineservice
TISP61089DR-S Bourns
SCRs Dual P Gate Forward Conducting
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TISP61089QBDR-S Bourns
SCRs Quad Programmable Protector
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TISP61089HDMR-S Bourns
SCRs Dual P Gate Forward Conducting
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TISP61089ADR-S Bourns
SCRs Dual P Gate Forward Conducting
2,896
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TISP61089QDR-S Bourns
SCRs Quad programmable Thyristor
1,486
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TISP61089BDR-S Bourns
SCRs Dual P Gate Forward Conducting
1,174
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TISP6NTP2CDR-S Bourns
SCRs Quad Buffered PGate Forward Conducting
179
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CS20-25moT1 IXYS
SCRs High Voltage Phase Control Thyristor
30
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TISP61089ASDR-S Bourns
SCRs Dual P Gate Forward Conducting
3,000
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TISP61089SDR-S Bourns
SCRs Dual P Gate Forward Conducting
3,000
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